发明名称 激光加工方法及半导体装置
摘要 本发明提供一种可以在加工对象物的内部沿着切断预定线的所希望的部分确实地形成改质区域的激光加工方法。在该激光加工方法中,将聚光点(P)对准于基板(4)的内部照射激光(L),从而在基板(4)的内部沿切断预定线(5)形成成为切断起点的质量改质区域(71)。此时,沿切断预定线(5)的所希望的部分(RP)使激光(L)进行脉冲振荡,并沿切断预定线(5)的规定部分(RC)使激光(L)进行连续振荡。由此,在沿着切断预定线(5)的所希望部分(RP)的基板(4)的内部形成质量改质区域(71),并且在沿着切断预定线(5)的规定部分RC的基板(4)的内部不形成质量改质区域(71)。
申请公布号 CN1993201A 申请公布日期 2007.07.04
申请号 CN200580026680.3 申请日期 2005.07.27
申请人 浜松光子学株式会社 发明人 久野耕司;铃木达也;坂本刚志
分类号 B23K26/40(2006.01);B28D5/00(2006.01);H01L21/301(2006.01);C03B33/09(2006.01);B23K101/40(2006.01) 主分类号 B23K26/40(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 龙淳
主权项 1.一种激光加工方法,其特征在于,通过将聚光点对准于板状加工对象物的内部照射激光,在加工对象物的内部沿加工对象物的切断预定线形成成为切断起点的改质区域,在照射激光时,有选择性地切换连续振荡和脉冲振荡。
地址 日本静冈县