发明名称 |
磁记录介质的制造方法 |
摘要 |
一种磁记录介质的制造方法,包括用带有靶的溅射法在基底上形成薄膜,其中,溅射期间在上面形成环形腐蚀区的所述靶与上面安装有多个基底的基底托架平行相对,其安置方式使得所述靶和所述基底托架的中心轴彼此对齐,并且在形成薄膜时,所述基底被安置在所述基底托架上这样的位置上,使得R3/R1为1.1或更小,R4等于R2或更大。 |
申请公布号 |
CN1993737A |
申请公布日期 |
2007.07.04 |
申请号 |
CN200580026211.1 |
申请日期 |
2005.07.28 |
申请人 |
昭和电工株式会社 |
发明人 |
福岛正人 |
分类号 |
G11B5/851(2006.01);G11B5/82(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/851(2006.01) |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 |
代理人 |
杨晓光;李峥 |
主权项 |
1.一种磁记录介质的制造方法,包括:用溅射法使用靶在基底上形成薄膜,其中,溅射期间在上面形成环形腐蚀区的所述靶与上面安装有多个基底的基底托架被安装为平行相对,其设置方式使得所述靶和所述基底托架的中心轴彼此对齐,并且为了形成薄膜,所述基底被安置在所述基底托架上这样的位置上,使得R3/R1为1.1或更小,R4等于R2或更大,其中,R1为从所述环形腐蚀区最深凹陷处到所述靶中心的距离,R2为从所述环形腐蚀区的最内周到所述靶中心的距离,R3为从基底外径端到所述基底托架中心的最大距离,R4为从所述基底的外径端到所述基底托架的中心的最小距离。 |
地址 |
日本东京都 |