| 发明名称 | 形成p型半导体区域的方法及半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种p型半导体区域的形成方法，其在有机金属气相外延装置101等成膜装置内配置基板103，在基板103上依次成长GaN缓冲膜105、无掺杂GaN膜107、以及包含p型掺杂物的GaN膜109，形成外延基板E1。半导体膜109中，除p型掺杂物之外，还含有包含在原料气体中的氢。接着，在短脉冲激光照射装置111中配置外延基板E1。对外延基板E1的表面的一部分或全部照射激光L<SUB>B1</SUB>，利用多光子吸收过程激活p型掺杂物。通过照射产生多光子吸收的脉冲激光L<SUB>B1</SUB>，形成p型GaN膜109a。无需使用热退火而将半导体膜内的p型掺杂物光学性激活，形成p型半导体区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1993807A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200580026731.2 | 申请日期 | 2005.08.02 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 田边敬一朗;吉本晋 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/268(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 钟强;关兆辉 |
| 主权项 | 1.一种将半导体内的p型掺杂物激活而形成p型半导体区域的方法，其特征在于，具备以下步骤：在由III-V族半导体、II-VI族半导体及IV族半导体中的任一半导体构成且含有氢以及p型掺杂物的半导体区域上，照射激光，利用多光子吸收过程，将上述p型掺杂物激活。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||