| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底，具有有源区和隔离区；光电二极管区和晶体管区，形成在该有源区上；栅极，形成在该晶体管区上，并具有第一高度和第二高度；以及扩散区，通过注入掺杂剂而形成在该光电二极管区和该晶体管区上。 | ||
| 申请公布号 | CN1992312A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610170190.7 | 申请日期 | 2006.12.25 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 任劲赫 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1、一种CMOS图像传感器，包括：半导体衬底，具有有源区和隔离区；光电二极管区和晶体管区，形成在该有源区上；栅极，形成在该晶体管区上，并具有第一高度和第二高度；以及扩散区，通过注入掺杂剂而形成在该光电二极管区和该晶体管区上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||