平面显示器及其制造方法

摘要

本发明提供一种平面显示器及其制造方法，其藉由四道蚀刻工序来定义第二金属层、掺杂的半导体层和半导体层。第一道是湿蚀刻，以第一光致抗蚀剂层为掩模定义第二金属层。第二道是含氧干蚀刻，在蚀刻时第一光致抗蚀剂层被部分灰化而成具沟道图案的第二光致抗蚀剂层，同时蚀刻掺杂的半导体层和半导体层。第三道是湿蚀刻，以第二光致抗蚀剂层为掩模蚀刻第二金属层。第四道是干蚀刻，以第二光致抗蚀剂层为掩模蚀刻掺杂的半导体层，以定义出源极和漏极。上述第二金属层藉由两次湿蚀刻使其边缘内缩，而掺杂的半导体层则藉由一次含氧干蚀刻使其边缘内缩至与第一次湿蚀刻后的第二金属层的边缘相同。藉此可缩小第二金属层的边缘与掺杂的半导体层边缘的距离。

主权项

权利要求书1.一种平面显示器，包括：一基板；一第一导电层设于该基板上，该第一导电层包括一栅极电极；一第一绝缘层设于该第一导电层和该基板上；一半导体层设于该第一绝缘层上；一掺杂的半导体层设于该半导体层上，其中该掺杂的半导体层包括一源极和一漏极；以及一第二导电层设于该掺杂的半导体层上，其中该第二导电层包括一源极电极、一漏极电极和一数据线，其中，该数据线的边缘内缩至该半导体层和该掺杂的半导体层的边缘内，且相隔一距离，该距离小于2微米。