发明名称 |
用于磁记录介质的硅基底、制造硅基底的方法以及磁记录介质 |
摘要 |
在用于磁记录介质的硅基底中,在所述基底的主表面与端面之间的周部分处设置半径为0.01mm至0.05mm的曲面。所述曲面可以设置在所述基底的外周或内周。优选地,所述端面和所述主表面的表面粗糙度的最大高度分别小于等于1μm和小于等于10nm。一种制造硅基底的方法包括以下步骤:在所述硅基底的中心处形成圆孔;将所述基底浸入其中颗粒悬浮的抛光液中;以及分别抛光所述基底的外和内周端面。在抛光各端面时,抛光刷接触所述端面,同时在所述端面与所述抛光刷之间进行相对旋转。 |
申请公布号 |
CN1993735A |
申请公布日期 |
2007.07.04 |
申请号 |
CN200580026726.1 |
申请日期 |
2005.08.11 |
申请人 |
昭和电工株式会社 |
发明人 |
会田克昭 |
分类号 |
G11B5/73(2006.01);G11B5/84(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/73(2006.01) |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 |
代理人 |
杨晓光;于静 |
主权项 |
1.一种用于磁记录介质的硅基底,其中在所述基底的主表面与端面之间的边缘部分处设置半径为0.01mm至0.05mm的曲面。 |
地址 |
日本东京都 |