发明名称 |
溅射源、溅镀装置、薄膜的制造方法 |
摘要 |
不对有机薄膜造成损伤地在其表面上形成溅镀膜。以遮蔽板103来遮蔽溅射源11~13的框体101的开口,在该开口部107a的两侧配置捕获磁铁105<SUB>1</SUB>、105<SUB>2</SUB>。在框体101内部配置靶部120,溅镀时,将遮蔽部103连接到接地电位,使电子等负的带电粒子入射到遮蔽部103,而通过了开口部107a的带电粒子则由于捕获磁铁105<SUB>1</SUB>、105<SUB>2</SUB>形成的磁场而弯曲其飞行方向。在成膜对象物横越溅射源11~13时,带电粒子不入射到成膜对象物表面,因此对有机薄膜的损伤减小。 |
申请公布号 |
CN1993491A |
申请公布日期 |
2007.07.04 |
申请号 |
CN200580025678.4 |
申请日期 |
2005.12.19 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
根岸敏夫;伊藤正博 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01);H05B33/10(2006.01);H01L51/50(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
曾祥夌;刘宗杰 |
主权项 |
1.一种溅射源,其中设有靶以及与所述靶相离而配置的、具有细长开口部的遮蔽板,使从所述靶发出的溅射粒子通过所述开口部而到达成膜对象物表面,沿着所述开口部的长边方向在所述开口部的两侧,设置第一、第二捕获磁铁部,在所述第一、第二捕获磁铁部的面对所述开口部的侧面,设置不同的磁极。 |
地址 |
日本神奈川县 |