发明名称 溅射源、溅镀装置、薄膜的制造方法
摘要 不对有机薄膜造成损伤地在其表面上形成溅镀膜。以遮蔽板103来遮蔽溅射源11~13的框体101的开口,在该开口部107a的两侧配置捕获磁铁105<SUB>1</SUB>、105<SUB>2</SUB>。在框体101内部配置靶部120,溅镀时,将遮蔽部103连接到接地电位,使电子等负的带电粒子入射到遮蔽部103,而通过了开口部107a的带电粒子则由于捕获磁铁105<SUB>1</SUB>、105<SUB>2</SUB>形成的磁场而弯曲其飞行方向。在成膜对象物横越溅射源11~13时,带电粒子不入射到成膜对象物表面,因此对有机薄膜的损伤减小。
申请公布号 CN1993491A 申请公布日期 2007.07.04
申请号 CN200580025678.4 申请日期 2005.12.19
申请人 株式会社爱发科 发明人 根岸敏夫;伊藤正博
分类号 C23C14/34(2006.01);H05B33/10(2006.01);H01L51/50(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 曾祥夌;刘宗杰
主权项 1.一种溅射源,其中设有靶以及与所述靶相离而配置的、具有细长开口部的遮蔽板,使从所述靶发出的溅射粒子通过所述开口部而到达成膜对象物表面,沿着所述开口部的长边方向在所述开口部的两侧,设置第一、第二捕获磁铁部,在所述第一、第二捕获磁铁部的面对所述开口部的侧面,设置不同的磁极。
地址 日本神奈川县