CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

一种制造CMOS图像传感器的方法，其中当形成埋置型光电二极管时，在光电二极管区中同时形成P型杂质区和P型LDD区，可减少一个步骤，简化制造工艺，且P型杂质区形成在侧壁间隔件下，改善了光电二极管的泄漏电流。该方法包括步骤：提供分为PMOS区、NMOS区以及二极管区的半导体衬底；在半导体衬底上形成STI；仅露出NMOS区并注入低密度N型杂质，形成N型LDD区；露出二极管区和PMOS区并注入杂质以形成P型杂质区和P型LDD区；仅露出二极管区并注入杂质以形成N型杂质区；在栅极的两侧壁上形成侧壁间隔件；仅露出NMOS区并注入高密度N型杂质以形成N型源极和漏极区；仅露出PMOS区并注入高密度P型杂质以形成P型源极和漏极区。

主权项

1.一种制造CMOS图像传感器的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底分为PMOS区、NMOS区以及二极管区；在所述半导体衬底上形成浅沟槽隔离；仅露出所述NMOS区，并注入低密度N型杂质，以形成N型LDD区；露出所述二极管区和PMOS区，并注入杂质，以形成P型杂质区和P型LDD区；仅露出所述二极管区，并注入杂质，以形成N型杂质区；在栅极的两个侧壁上形成侧壁间隔件；仅露出所述NMOS区，并注入高密度N型杂质，以形成N型源极和漏极区；仅露出所述PMOS区，并注入高密度P型杂质，以形成P型源极和漏极区。