| 发明名称 | 半导体集成电路装置 | ||
| 摘要 | 在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在第二岛区(9)配置二极管(3)。二极管(3)的阳极区和横向PNP晶体管(2)形成的第一岛区(8)的分离区(7)电连接，二极管(3)的阴极区和功率NPN晶体管(4)的集电极区电连接。由此，横向PNP晶体管(2)形成的第一岛区(8)的分离区(7)与其他岛区的分离区相比为低电位，可以防止流入自由载流子(电子)。 | ||
| 申请公布号 | CN1324709C | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200410082525.0 | 申请日期 | 2004.09.20 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 神田良;大川重明;吉武和广 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01) | 主分类号 | H01L27/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马莹;邵亚丽 |
| 主权项 | 权利要求书1.一种半导体集成电路装置，包括：半导体层；将所述半导体层区分为多个岛区的分离区，在所述多个岛区中，至少形成驱动电机的驱动元件、以及控制该驱动元件的控制元件，其特征在于：在其他岛区中形成二极管元件，所述二极管元件的阳极区与形成所述控制元件的岛区的分离区电连接，所述二极管元件的阴极区与形成所述驱动元件的岛区电连接。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||