制造埋入的绝缘层型的单晶碳化硅基体用的方法和设备

摘要

本发明的目的是提供一种制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体用的方法和一种用于实现该方法的制造设备，用于制造在绝缘层接触的界面内具有一较高平面度的一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体。一制造设备A是在一薄膜形成室200内放置一具有一位于一硅基体110上的埋入的绝缘层120和一在这埋入的绝缘层120上形成的一表面硅层130的SOI基体之后制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体之后制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体的一设备，它包括：其中放置SOI基体100的薄膜形成室200；用于供应制造一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体所要求的多种气体进入薄膜形成室200的一气体供应装置300；用红外线I辐射SOI基体100的表面硅层130的一红外线辐射装置400；以及，用于控制气体供应装置300和红外线辐射装置400的一控制部分500。

主权项

权利要求书1.一种在一薄膜形成室内放置一具有一位于一硅基体上的埋入的绝缘层和一在这埋入的绝缘层上形成的表面硅层的SOI基体之后制造一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体用的方法，其中，用于制造一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体的该方法的特征在于：包括一第一步骤，即，用红外线辐射SOI基体的表面硅层，同时将氢气和碳氢化合气体的一混合气体供入薄膜形成室，从而将表面硅层的温度升高至将表面硅层转变为一单晶碳化硅薄膜所要求的温度，并将这状态保持一预定时间，从而将表面硅层转变为一单晶碳化硅薄膜。