| 发明名称 | 蚀刻侧壁的方法及形成半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种蚀刻侧壁的方法及形成半导体结构的方法，其中，蚀刻侧壁的方法首先提供一具有沟槽的基底，且沟槽的开口、侧壁及底部具有填充物质。接着，藉由防止蚀刻剂与沟槽底部填充物质之间的反应，将沟槽的开口及侧壁上的填充物质去除，以留下沟槽底部的填充物质。防止蚀刻剂与沟槽底部填充物质间的反应的方法，主要是利用在沟槽底部的填充物质形成气泡的方法来进行；其中，气泡是藉由将基底反转后浸泡在蚀刻剂中的方法来形成。本发明的方法可去除造成沟槽开口封闭的物质，但不会移除沟槽底部的物质，并让沟槽被完全填满。 | ||
| 申请公布号 | CN1324662C | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200310101461.X | 申请日期 | 2003.10.20 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 刘裕腾 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/76(2006.01);C23F1/16(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤;经志强 |
| 主权项 | 权利要求书1.一种形成半导体结构的方法，该半导体结构是藉由浅沟槽隔离制备过程，形成于具有一沟槽的一基底上，其特征在于包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底具有一沟槽；于该基底上及该沟槽内形成一填充层，该填充层至少部分填入该沟槽，该填充层形成于该沟槽的侧壁上，且形成有该填充层的该沟槽具有一沟槽开口；反转该半导体基底；及将反转的该半导体基底浸泡入一蚀刻剂，形成防止该沟槽底部的该填充层被蚀刻的气泡，以去除位于该沟槽的开口及侧壁上的该填充层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹县 | ||