| 发明名称 | 具有磁电阻特性的异质结材料 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有磁电阻特性的新型异质结材料，包括在衬底上生长有掺杂锰氧化物层，在所述的掺杂锰氧化物层上生长的辅助层；在辅助层面上生长有掺杂锰氧化物层，掺杂锰氧化物层再生长辅助层，依次进行叠层；制备两种材料异质结磁电阻材料。也可以把掺杂锰氧化物和钛酸锶与铝酸镧或钛酸锶与钛酸钡、或钛酸钡与铝酸镧的三种材料，进行周期性的交替叠层，制备三种材料的多层膜或超晶格结构的磁电阻异质结材料，其中掺杂锰氧化物层层厚为0.8nm～5μm，辅助层的厚度为0.8nm～5μm。上述异质结材料具有低场高灵敏度磁电阻特性，即使在室温也具有大于30％的磁电阻变化率，在磁记录、磁头和传感器等方面具有非常广泛的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN1992366A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200510135499.8 | 申请日期 | 2005.12.31 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 吕惠宾;何萌;赵昆;黄延红;金奎娟;刘国珍;邢杰;陈正豪;周岳亮;杨国桢 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01);H01L43/10(2006.01);H01F10/00(2006.01) | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高存秀 |
| 主权项 | 1.具有磁电阻特性的新型异质结材料，包括衬底、在衬底(1)上生长有掺杂锰氧化物层(2)、辅助层；其特征在于，在所述的掺杂锰氧化物层(2)上生长的辅助层；在辅助层面上生长有掺杂锰氧化物层(2)，掺杂锰氧化物层(2)上再生长辅助层，依次进行叠层；所述的掺杂锰氧化物层(2)层厚为0.8nm～5μm；所述的辅助层的厚度为0.8nm～5μm。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||