| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于制造高精度的精细晶体管的方法，该晶体管在其中引入杂质的区域中具有源极/漏极区(310、320)。该方法包括在半导体衬底的前面上形成栅电极(340)的步骤，引入杂质从而夹置栅电极(340)的步骤，和激活杂质的步骤。引入杂质的步骤包括等离子体辐射步骤，且在激活步骤之前，形成反射防止膜(400)的步骤被包括从而在其中引入杂质的区域具有小的光反射率。 | ||
| 申请公布号 | CN1993818A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200580026461.5 | 申请日期 | 2005.08.03 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 金成国;佐佐木雄一朗;伊藤裕之;水野文二 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种制造晶体管的方法，包括在半导体衬底的表面上形成栅电极的步骤，横过所述栅电极引入杂质的步骤，和激活所述杂质从而在具有在其中引入所述杂质的区域中形成源极/漏极区的步骤，一种半导体装置的制造方法，其中引入所述杂质的步骤包括等离子体辐射步骤；还包括，在所述激活步骤之前，在具有在其中引入所述杂质的区域的表面上形成反射防止膜，使得所述杂质引入区的光学反射率可以低于所述栅电极表面的光学反射率。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||