| 发明名称 | 声表面波器件中心频率的调整方法 | ||
| 摘要 | 声表面波器件中心频率的调整方法，其特征在于选用四硼酸锂单晶片作为制作声表面波器件的晶片材料，在设计及制作时使声表面波器件芯片的中心频率比标准中心频率有正偏差，然后用水浸泡声表面波器件芯片，调整声表面波器件叉指条的周期长度，减小或消除所述正偏差。本发明方法比现有技术简单易行，无需昂贵的生产设备，而且对器件其他性能无损害。 | ||
| 申请公布号 | CN1992518A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200510022674.2 | 申请日期 | 2005.12.28 |
| 申请人 | 无锡市好达电子有限公司 | 发明人 | 刘平;王建文 |
| 分类号 | H03J1/00(2006.01) | 主分类号 | H03J1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 无锡华源专利事务所 | 代理人 | 聂汉钦 |
| 主权项 | 1、声表面波器件中心频率的调整方法，其特征在于选用四硼酸锂单晶片作为制作声表面波器件的晶片材料，在设计及制作时使声表面波器件芯片的中心频率比标准中心频率有正偏差，然后用水浸泡声表面波器件芯片，调整声表面波器件叉指条的周期长度，减小或消除所述正偏差。 | ||
| 地址 | 214124江苏省无锡市滨湖区经济技术开发区高运路115号 | ||