具有凹形沟道的半导体器件的形成方法

摘要

本发明公开了一种具有凹形沟道的半导体器件的形成方法，其包括：在半导体衬底上形成用于暴露用于形成沟槽的第一区的硬掩模膜图案；使用硬掩模膜图案作为掩模通过第一蚀刻工艺来形成第一沟槽且去除硬掩模图案；在包括第一沟槽的半导体衬底上形成阻挡膜；在阻挡膜上形成用于暴露第一沟槽的离子注入掩模膜；使用离子注入掩模膜和阻挡膜，在半导体衬底中第一沟槽下形成离子注入区。所述方法还包括使用离子注入掩模膜和阻挡膜作为掩模通过第二蚀刻工艺形成球状物形第二沟槽，使得形成了用于凹形沟道的球状物形沟槽，每个沟槽具有第一沟槽和第二沟槽，且去除了离子注入掩模膜和阻挡膜。

主权项

1、一种具有凹形沟道的半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上形成暴露用于形成沟槽的第一区的硬掩模膜图案；使用所述硬掩模膜图案作为掩模通过第一蚀刻工艺来形成第一沟槽且去除所述硬掩模图案；在包括所述第一沟槽的半导体衬底上形成阻挡膜；在所述阻挡膜上方形成离子注入掩模膜；使用所述离子注入掩模膜和所述阻挡膜，在所述半导体衬底中分第一沟槽下形成离子注入区；使用所述离子注入掩模膜和所述阻挡膜作为掩模，通过进行第二蚀刻工艺形成了所述第一沟槽下的第二沟槽，使得形成了用于凹形沟道的球状物形沟槽，且每个球状物包括所述第一沟槽和所述第二沟槽；以及去除所述离子注入掩模膜和所述阻挡膜。