| 发明名称 | CMOS图像传感器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其包括用于吸收光的光电二极管、转移晶体管(Tx)、复位晶体管(Rx)、驱动晶体管(Dx)和选择晶体管(Sx)。CMOS图像传感器包括转移晶体管(Tx)和复位晶体管(Rx)之间的浮置扩散区。驱动晶体管(Dx)的栅极利用多晶硅与该浮置扩散区相连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1992305A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610170120.1 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 任劲赫 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器，包括：用于吸收光的光电二极管；转移晶体管；复位晶体管；驱动晶体管；以及选择晶体管，其中在转移晶体管与复位晶体管之间形成浮置扩散区，以及该驱动晶体管的栅极利用多晶硅与该浮置扩散区相连接。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||