发明名称 | 多层腔隙缝天线 | ||
摘要 | 本发明提供了一种具有在多层上延伸的天线腔的示例性隙缝天线(100)。所述隙缝天线包括基准导电层(104)、具有至少一个隙缝开口(108)的辐射导电层(106)、位于所述基准导电层和辐射导电层之间的一层或多层中间导电层(114)、以及两层或多层介质层(110.112)。所述两层或多层介质层至少包括位于所述基准导电层和一层或多层中间导电层之间的第一介质层以及位于所述一层或多层中间导电层和辐射导电层之间的第二介质层。一层或多层中间导电层的每层包括至少一个基本上没有导电材料的开口(122)。由于其在x-y平面中的降低的占用面积,所述多层隙缝天线可以嵌入用于无线装置的集成电路封装(600,700)中。所述多层隙缝天线在某种情况下还表现出双谐振频率。 | ||
申请公布号 | CN1993863A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
申请号 | CN200580026056.3 | 申请日期 | 2005.07.20 |
申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 希-陶·察伊;托马斯·E·杰尔柯勒 |
分类号 | H01Q13/10(2006.01) | 主分类号 | H01Q13/10(2006.01) |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1.一种天线,包括:基准导电层;含有至少一个隙缝开口的辐射导电层;位于所述基准导电层和辐射导电层之间的一层或多层中间导电层;以及两层或多层介质层,所述两层或多层介质层至少包括位于所述基准导电层和一层或多层中间导电层之间的第一介质层,以及位于所述一层或多层中间导电层和辐射导电层之间的第二介质层;其中,所述一层或多层中间导电层的每层包括至少一个基本上没有导电材料的开口。 | ||
地址 | 美国得克萨斯 |