| 发明名称 | 提高熔丝熔断成功率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高熔丝熔断成功率的方法，针对集成电路上具有一熔丝的电路，设置一逆向二极管，利用该逆向二极管与熔丝串接，使得熔丝熔断的电流路径上，多一个逆向二极管的逆偏压，用以提高熔丝熔断的电流路径上的崩溃电压，使得熔断电流以近乎100％的效率流入熔丝，进而熔断该熔丝。 | ||
| 申请公布号 | CN1992262A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200510097116.2 | 申请日期 | 2005.12.30 |
| 申请人 | 矽创电子股份有限公司 | 发明人 | 林春生 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/525(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 彭焱 |
| 主权项 | 1.一种提高熔丝熔断成功率的方法，针对集成电路上具有一熔丝(100)的电路，其特征在于：设置一逆向二极管(RD)与该熔丝(100)串接，所述逆向二极管(RD)用以提高该熔丝(100)熔断的电流路径上的崩溃电压。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||