| 发明名称 | 薄膜刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种薄膜刻蚀方法，是应用于一半导体或薄膜晶体管阵列(TFTArray)的薄膜制程中，用以改良现有刻蚀后产生倒角(Undercut)的问题，或使刻蚀后的薄膜形状更加的完美。该薄膜刻蚀方法是将现有的刻蚀制程，分为两阶段加以进行，且于该两阶段的刻蚀制程间，再插入一退光刻胶的刻蚀制程，通过由将光刻胶适度的刻蚀后，使得薄膜与刻蚀材料的接触面积增加，因此可以消除现有刻蚀所产生的倒角或薄膜形状不完美的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN1992150A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200510137420.5 | 申请日期 | 2005.12.30 |
| 申请人 | 中华映管股份有限公司 | 发明人 | 许嘉哲;施雅钟;郑勉仁;吴承昌;张瑞宗 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3213(2006.01);C23F1/02(2006.01);C23F1/16(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁挥;徐金国 |
| 主权项 | 1.一种薄膜刻蚀方法，是应用于一半导体或一薄膜晶体管阵列的薄膜制程中，其包括下列步骤：提供一基板，该基板上形成有至少一层薄膜，且于最上面一层该薄膜的顶部形成有一光刻胶；使用第一刻蚀剂刻蚀该薄膜；使用第二刻蚀剂刻蚀该光刻胶；以及使用第一刻蚀剂再次刻蚀该薄膜。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||