互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法

摘要

本发明公开了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的制造方法。该方法包括以下步骤：制备形成有隔离层的半导体衬底；形成光电二极管与第一和第二多层栅，其中该光电二极管设置于所述半导体衬底的预定部分处，所述第一和第二多层栅位于该半导体衬底上并与该光电二极管隔开预定间隔；在所述半导体衬底上形成位于所述第一多层栅与所述第二多层栅之间的形成浮置扩散区，以接收从该光电二极管转移的电子；以及在该浮置扩散区的一部分上形成用于金属接触部的浮置扩散结区。因此，由于所述浮置扩散区的形成和所述浮置扩散结区的形成无关，因而可控制由浮置扩散结区产生的结漏电流。

主权项

1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，该制造方法包括以下步骤：制备形成有隔离层的半导体衬底；形成光电二极管与第一和第二多层栅，其中该光电二极管设置于所述半导体衬底的预定部分处，所述第一和第二多层栅位于该半导体衬底上并与该光电二极管隔开预定间隔；在所述半导体衬底上形成位于所述第一多层栅与所述第二多层栅之间的浮置扩散区，以接收从该光电二极管转移的电子；以及在该浮置扩散区的一部分上形成用于金属接触部的浮置扩散结区。