| 发明名称 | 制造半导体器件的方法以及制造磁头的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的方法包括步骤：在层间绝缘膜(34)中形成互连沟槽(38)；在互连沟槽(38)形成以Cu作为主要材料的互连层(44)；以及在埋置于互连沟槽(38)中的互连层(44)的表面上，进行同时喷射溶解有氨和氢的纯水及氮气的氮二流体处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1992197A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610105672.4 | 申请日期 | 2006.07.17 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 井谷司;佐佐木真;泷川幸雄 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在绝缘膜中形成开口；在开口中形成以Cu为主要材料的互连层；以及在埋置于开口中的互连层表面上进行同时喷射溶解有氨和氢的纯水及氮气的氮二流体处理。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||