扩散式晶圆型态封装的结构与其形成方法

摘要

一种扩散式晶圆型态封装的结构与其形成方法，拾取与置放标准晶粒于一新的基底上以得到一比传统的晶圆上晶粒之间的距离更适当与更宽广的距离。由扩散式型态封装使得上述封装结构具有一比上述晶粒大小还大的球阵列。此外，上述晶粒可以与被动元件或其它具有并列结构或堆叠结构的晶粒一起封装。

主权项

权利要求书1.一种扩散式晶圆型态封装的形成方法，其特征在于包括：附着一复数个第一晶粒到一绝缘基底；形成一第一材料层于该绝缘基底上，其是在该绝缘基底上的该复数个第一晶粒之间填满该第一材料层；形成一第二材料层于该第一材料层与该复数个第一晶粒上；蚀刻该复数个第一晶粒的第一垫上的该第二材料层的一部分区域，以形成第一开口；形成第一接触导电层于该第一开口上以分别与该第一垫作电性耦合；形成一第一光阻层于该第二材料层与该第一接触导电层上；去除该第一光阻层的一部分区域以形成一第一扇出图案并且暴露该第一接触导电层；形成第一导线于该第一扇出图案上，并且该第一导线分别与该第一接触导电层耦合；去除剩余的该第一光阻层；形成一第一绝缘层于该第一导线与该第二材料层上；去除该第一导线上的该第一绝缘层的一部分区域以形成第二开口；于该复数个第一晶粒的上方附着一复数个第二晶粒至该第一绝缘层上；形成一第三材料层于该第一绝缘层上，其是在该第一绝缘层上的该复数个第二晶粒之间填满该第三材料层；形成一第四材料层于该第三材料层与该复数个第二晶粒上；蚀刻该复数个第二晶粒的第二垫上的该第四材料层的一部分区域，以形成第三开口；形成第二接触导电层于该第三开口上以分别与该第二垫作电性耦合；去除该第一导线上的该第四材料层、该第三材料层与该第二材料层的一部分区域以形成第四开口；以导电材料填充该第四开口；形成一第二光阻层于该第四材料层、该导电材料与该第二接触导电层上；去除该第二光阻层的一部分区域以形成一第二扇出图案并且暴露该第二接触导电层；形成第二导线于该第二扇出图案上，并且该第二导线分别与相对应的该第二接触导电层以及相对应的该导电材料耦合，使得该第一晶粒采用该导电材料耦合该第二晶粒；去除剩余的该第二光阻层；形成一第二绝缘层于该第二导线与该第四材料层上；去除该第二导线上的该第二绝缘层的一部分区域以形成第五开口；以及锻烧焊接球于该第五开口上以耦合该第二导线。