生长碳纳米管的方法及形成半导体器件的导电线的方法

摘要

提供了一种生长碳纳米管的方法和一种使用该碳纳米管形成半导体器件的导电线的方法。形成半导体器件的导电线的方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成具有多个突起的电极；在电极上形成催化剂层，其覆盖突起并促进碳纳米管的生长；形成覆盖催化剂层的绝缘层；在绝缘层中形成通孔，其暴露催化剂层的表面的一部分；以及通过在催化剂层的表面上方向通孔内注入含碳气体，在催化剂层的表面上生长碳纳米管，从而形成导电线。该形成导电线的方法可以用于减小半导体器件的电阻并提高半导体器件的电流密度，并实现半导体器件的超高度集成，因为碳纳米管导电线可以应用于微小通孔。

主权项

1.一种生长碳纳米管的方法，包括：制备具有多个突起的衬底；形成催化剂层，所述催化剂层覆盖所述突起并促进所述碳纳米管的生长；以及通过向所述催化剂层上注入含碳气体在所述催化剂层的表面上生长所述碳纳米管。