| 发明名称 | 使用源极区和沟道区的闪存单元擦除方案 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种擦除非易失性存储器的方法，包括：将第一极性的第一电位施加到控制栅极上；将第二极性的第二电位施加到体区上，第二电位是N幅度；以及，将第二极性的第三电位施加到源极区，第三电位是M幅度，其中，N和M大致相同。 | ||
| 申请公布号 | CN1324695C | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN03158010.6 | 申请日期 | 2003.05.24 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 辛亚·A·王;周开诚;彼德·拉布金 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 权利要求书1.一种擦除非易失性存储器的方法，包括：将第一极性的第一电位施加到控制栅极上；将第二极性的第二电位施加到体区上，第二电位是N幅度；以及将第二极性的第三电位施加到源极区，第三电位是M幅度，其中，N和M之间的差值不大于1V。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||