| 发明名称 | 双极晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种双极晶体管的制造方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成掺杂有第一导电类型材料的阱区；通过对该阱区执行离子注入工艺形成掺杂有该第一导电类型材料的基区；通过对形成有该基区的阱区执行离子注入工艺形成掺杂有第二导电类型材料的发射区和集电区；以及在除了该发射区和该集电区之外的该半导体衬底的上部形成硅化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1992180A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610156707.7 | 申请日期 | 2006.12.28 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 金镇洙;高锡龙 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L21/331(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种双极晶体管的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成掺杂有第一导电类型材料的阱区；通过对该阱区执行离子注入工艺形成掺杂有该第一导电类型材料的基区；通过对形成有该基区的阱区执行离子注入工艺形成掺杂有第二导电类型材料的发射区和集电区；以及在除了该发射区和该集电区之外的该半导体衬底的上部形成硅化物层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||