在半导体衬底上制造集成电路的方法

摘要

集成电路器件包括导电层和多晶硅层，其中该集成电路器件进一步包括中间相反应力层。该中间相反应力层被布置于多晶硅层和导电层之间，并且能够实现该多晶硅层的应力降低的晶化。此外，该中间相反应力层在多晶硅晶化温度时以及在该多晶硅晶化温度以下是非晶的。

主权项

1.一种用于在半导体衬底上制造集成器件的方法，包括以下步骤：-在所述半导体衬底上设置导电层；-在所述导电层上设置非晶相反应力层，所述非晶相反应力层在多晶硅晶化温度时以及在该多晶硅晶化温度以下是非晶的；-在所述非晶相反应力层上设置处于非晶状态的硅层；以及-将包括所述导电层、所述非晶相反应力层和所述硅层在内的所述衬底加热到至少所述多晶硅晶化温度，以便所述非晶硅层将其状态改变为多晶状态。