| 发明名称 | CMOS图像传感器的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种CMOS图像传感器的制造方法。根据该方法，在半导体衬底形成器件隔离层以限定器件隔离区和有源区。在半导体衬底上形成栅极绝缘层和多晶硅层。将高浓度的杂质离子注入多晶硅层中。选择性地去除多晶硅层和栅极绝缘层以形成栅极。将杂质离子注入有源区中以形成光电二极管区；将杂质离子注入有源区中以形成源极/漏极区。本发明能够改善像素的均匀度。 | ||
| 申请公布号 | CN1992213A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610170112.7 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 韩昌勋 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括：在半导体衬底中形成器件隔离层，以限定器件隔离区和有源区；在所述半导体衬底中形成栅极绝缘层和多晶硅层；将高浓度杂质离子注入所述多晶硅层中；选择性地去除所述多晶硅层和栅极绝缘层，以形成栅极；将杂质离子注入所述有源区中，以形成光电二极管区；将杂质离子注入所述有源区中，以形成源极/漏极区。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||