| 发明名称 | 制造闪存器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造闪存器件的方法，包括：制备具有有源区和无源区的衬底；在无源区上形成沟槽；在沟槽上形成器件隔离膜；在有源区上形成阱；在形成有阱的衬底表面上依次形成隧道氧化物膜、第一多晶硅层、层间电介质膜、第二多晶硅层以及氧化物膜；通过图案化第一多晶硅层、层间电介质膜、第二多晶硅层以及氧化物膜，在有源区上形成浮栅、电介质膜、控制栅以及保护膜。该方法还包括：在衬底的表面上形成光致抗蚀剂图案，以暴露出保护膜和无源区；及利用光致抗蚀剂图案，去除无源区上暴露的隧道氧化物膜和器件隔离膜。保护膜保护浮栅和控制栅在蚀刻步骤中不受损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN1992234A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610172431.1 | 申请日期 | 2006.12.27 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 慎镕煜 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：制备具有有源区和无源区的衬底；在所述无源区内形成沟槽；在所述沟槽内形成器件隔离膜；在所述有源区内形成阱；在形成有所述阱的衬底的表面上依次形成隧道氧化物膜、第一多晶硅层、层间电介质膜、第二多晶硅层以及氧化物膜；通过将所述第一多晶硅层、所述层间电介质膜、所述第二多晶硅层以及所述氧化物膜图案化，在所述有源区上形成浮栅、电介质膜、控制栅以及保护膜；在所述衬底的表面上形成光致抗蚀剂图案，以暴露出所述保护膜和所述无源区；以及利用所述光致抗蚀剂图案作为掩模，去除所述无源区上暴露的所述隧道氧化物膜和所述器件隔离膜。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||