| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底，其内限定有光电二极管区和晶体管区；第一栅电极和第二栅电极，该第一栅电极和该第二栅电极形成于该半导体衬底的光电二极管区上，且栅绝缘层夹在该半导体衬底的光电二极管区与该第一栅电极和该第二栅电极之间，并且该第一栅电极和该第二栅电极彼此之间具有预定间隔；第一导电型扩散区，其形成于该第一栅电极的两侧的光电二极管区以及该第二栅电极的两侧的光电二极管区中；侧壁绝缘层，其形成于该第一栅电极的两侧面和该第二栅电极的两侧面上；以及浮置扩散区，其形成于该晶体管区中。 | ||
| 申请公布号 | CN1992320A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610171255.X | 申请日期 | 2006.12.25 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 任劲赫 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种互补型金属氧化物半导体图像传感器，其包括：半导体衬底，其内限定有光电二极管区和晶体管区；第一栅电极和第二栅电极，该第一栅电极和该第二栅电极形成于该半导体衬底的光电二极管区上，且栅绝缘层夹在该半导体衬底的光电二极管区与该第一栅电极和该第二栅电极之间，并且该第一栅电极和该第二栅电极彼此之间具有预定间隔；第一导电型扩散区，其形成于该光电二极管区的、位于该第一栅电极的两侧的部分中以及该光电二极管区的、位于该第二栅电极的两侧的部分中；侧壁绝缘层，其形成于该第一栅电极的两侧面和该第二栅电极的两侧面上；以及浮置扩散区，其形成于该晶体管区中。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||