发明名称 | 动态随机存取存储器 | ||
摘要 | 一种动态随机存取存储器,包括衬底、沟渠式电容器、通过栅极结构、晶体管以及接触窗。衬底具有一个沟渠,且沟渠式电容器配置于衬底的沟渠中。通过栅极结构配置于沟渠式电容器上,且晶体管配置于通过栅极结构的一侧的衬底上。接触窗配置于通过栅极结构的另一侧的衬底上,且此接触窗连接至沟渠式电容器。由于配置在栅极结构的另一侧,因此接触窗不会因对准不良而连接至晶体管的源极与漏极区。 | ||
申请公布号 | CN2919532Y | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
申请号 | CN200620002461.3 | 申请日期 | 2006.01.28 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 苏怡男 |
分类号 | H01L27/108(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
主权项 | 权利要求书1.一种动态随机存取存储器,其特征在于,包括:一衬底,具有一沟渠;一沟渠式电容器,配置于该衬底的该沟渠中;一通过栅极结构,配置于该沟渠式电容器上;一晶体管,配置于该通过栅极结构的一侧的该衬底上;以及一接触窗,配置于该通过栅极结构的另一侧的该衬底上,且该接触窗连接至该沟渠式电容器。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 |