| 发明名称 | 形成浅沟槽隔离(STI)的方法及其结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法以减少应力改善电子迁移，其中该方法包括：提供一半导体基底，具有至少一图案化硬掩模层于其上；利用该至少一图案化硬掩模层进行干蚀刻制程以在该半导体基底中形成一沟槽；形成一或多个内衬层于该沟槽表面上，该内衬层可择自二氧化硅/氮化硅、二氧化硅/氮氧化硅、二氧化硅/氮化硅/氮氧化硅、氮化硅/氮氧化硅或氮氧化硅/氮化硅；形成一或多个沟槽填充材料层(例如：以二氧化硅回填充该沟槽)于内衬层上；进行热回火步骤以释放沟槽填充槽材料中所累积的应力；进行化学机械研磨以及干蚀刻制程以移除沟槽表面上多余的填充材料；以及移除该至少一图案化硬掩模层。 | ||
| 申请公布号 | CN1324673C | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200410101523.1 | 申请日期 | 2004.12.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 傅竹韵;陆志诚;章勋明 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 权利要求书1.一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括下列步骤：提供一半导体基底；形成一沟槽于该半导体基底中；形成一或多个内衬层于该沟槽表面上；以释压材料填充于该沟槽的内衬层上，形成一或多个沟槽填充材料层，其中在形成该一或多个内衬层及该一或多个沟槽填充材料层之后，分别地进行一回火制程；以及移除该沟槽表面多余的沟槽填充材料层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||