发明名称 |
半导体能束探测元件 |
摘要 |
光电二极管阵列(1)包括P<SUP>+</SUP>扩散层(4、5)和N<SUP>+</SUP>沟道阻挡层(6、7)以及N<SUP>+</SUP>扩散层(8)。P<SUP>+</SUP>扩散层(4、5)和N<SUP>+</SUP>沟道阻挡层(6、7)设置在半导体衬底(3)的背面一侧。N<SUP>+</SUP>沟道阻挡层(6)设置在相邻的P<SUP>+</SUP>扩散层(4、5)之间,具有网格状以隔离P<SUP>+</SUP>扩散层(4、5)。N<SUP>+</SUP>沟道阻挡层(7)在P<SUP>+</SUP>扩散层阵列的外侧与N<SUP>+</SUP>沟道阻挡层(6)接连起来被设置成框状。N<SUP>+</SUP>沟道阻挡层(7)的宽度被作成为比N<SUP>+</SUP>沟道阻挡层(6)的宽度宽。闪烁体光学性地连接到半导体衬底(3)的入射面上。 |
申请公布号 |
CN1324714C |
申请公布日期 |
2007.07.04 |
申请号 |
CN01807540.1 |
申请日期 |
2001.03.28 |
申请人 |
浜松光子学株式会社 |
发明人 |
米田康人;赤堀宽;村松雅治 |
分类号 |
H01L27/142(2006.01);H04N5/32(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/142(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
权利要求书1.一种半导体能束探测元件,其特征在于,具备由第1导电类型的半导体构成的半导体衬底,上述半导体衬底具有入射规定波长区域的能束的入射面,在与上述半导体衬底的上述入射面相反的背面一侧,设置有由第2导电类型的半导体构成的多个第2导电类型的扩散层;和由杂质浓度比上述半导体衬底高的第1导电类型的半导体构成的第1导电类型的扩散层;上述第1导电类型的扩散层,包含,设置在所述第2导电类型的扩散层之间,用于分离所述第2导电类型的扩散层的第1部分的第1导电类型的扩散层,和设置在所述第2导电类型的扩散层排列的外侧,宽于所述第1部分的第1导电类型的扩散层而形成的第2部分的第1导电类型的扩散层。 |
地址 |
日本静冈县 |