| 发明名称 | 具纳米晶体或纳米点的存储单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 储存层(6)是存在于沟道区域于其中相邻一源极/漏极区域(2)的一区域之上，以及被插入于该沟道区域(3)的一介于中间的、中心的部分。再者，该储存层(6)是由栅极介电质(4)的一材质而形成，并且，系包含通过离子注入所导入的硅、或锗纳米结晶体或纳米点。该栅极电极(5)是由导电间隙壁(7)而在侧翼处加宽。 | ||
| 申请公布号 | CN1324711C | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200410056605.9 | 申请日期 | 2004.08.11 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | M·古特斯彻;J·威尔勒;C·－U·平诺;R·斯伊曼茨克 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 权利要求书1.一种存储单元，包括：源极/漏极区域(2)，其通过杂质的导入而形成于一半导体本体(1)或基板的一顶侧；一沟道区域(3)，被设置于该源极/漏极区域(2)之间，并且，一栅极介电质(4)以及一栅极电极(5)被配置于该沟道区域(3)上；以及一储存层(6)，其被配置于所述源极/漏极区域(2)以及所述沟道区域(3)之间的边界上方，且被插入于该沟道区域(3)的中心区域上方，其中，该储存层(6)由该栅极介电质(4)的一材质而形成为一平面层，并且，包含纳米结晶体或纳米点。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||