半导体装置之制造方法、半导体装置之制造装置、控制程式及电脑记忆媒体

摘要

将光阻膜当作罩幕对光阻膜选择性电浆蚀刻SiO2而形成通孔。电浆蚀刻是使用包含以CxFyO(x为4或5，y为整数，y/x为1至1.5)所表示之不饱和含氧氟碳气体之蚀刻气体。不饱和含氧氟碳气体是使用C4F4O气体、C4F6O气体。