发明名称 薄膜电晶体基板及其制造方法
摘要 本发明涉及一种薄膜电晶体基板,其包括一绝缘基底、设置于该绝缘基底上之一闸极线及一存储电容电极线、一设置于该闸极线、该存储电容电极线及该绝缘基底上之绝缘层及一设置于该绝缘层上之像素电极,该存储电容电极线与该像素电极形成一存储电容,该闸极线包括一第一金属层及位于该第一金属层上之第二金属层,该第一金属层及该存储电容电极线之材料皆为高反射率金属。本发明之薄膜电晶体基板之像素单元亮度较高。本发明还提供一种薄膜电晶体基板之制造方法。
申请公布号 TW200725892 申请公布日期 2007.07.01
申请号 TW094144820 申请日期 2005.12.16
申请人 群创光电股份有限公司 发明人 颜子旻;赖建廷
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 苗栗县竹南镇新竹科学园区科学路160号