薄膜蚀刻方法

摘要

本发明为一种薄膜蚀刻方法，系应用于一半导体或薄膜电晶体阵列(TFT Array)之薄膜制程中，用以改良知蚀刻后产生倒角(Undercut)的问题，或使蚀刻后之薄膜形状更加的完美。该薄膜蚀刻方法系将知之蚀刻制程，分为两阶段加以进行，且于该两阶段之蚀刻制程间，再插入一退光阻之蚀刻制程，藉由将光阻适度的蚀刻后，使得薄膜与蚀刻材料之接触面积增加，因此可以消除知蚀刻所产生之倒角或薄膜形状不完美的问题。