发明名称 制造半导体元件的方法
摘要 在此揭示的是制造半导体元件的方法,其包括在形成包含Si的光阻膜之后进行O2电浆处理步骤。
申请公布号 TW200725695 申请公布日期 2007.07.01
申请号 TW095131538 申请日期 2006.08.28
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 李晟求;郑载昌
分类号 H01L21/027(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项
地址 韩国