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发明名称
在半导体记忆体元件中产生升压电压的电路及其方法
摘要
一种在半导体记忆体装置中产生升压电压的电路,其中半导体记忆体装置包括具有多个非边缘子阵列与至少一个边缘子阵列的记忆胞阵列。此电路包括多个升压电压产生器,其用以产生具不同电流驱动能力的升压电压以作动非边缘子阵列与边缘子阵列并且提供升压电压至记忆胞阵列。
申请公布号
TW200725642
申请公布日期
2007.07.01
申请号
TW095148931
申请日期
2006.12.26
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
李在永;李洪准;李中和
分类号
G11C7/12(2006.01)
主分类号
G11C7/12(2006.01)
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
韩国
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