发明名称 金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法
摘要 一种金属-绝缘体-金属电容结构,是至少由上电极、下电极以及绝缘层所构成,其中绝缘层位于上电极与下电极之间。而这种金属-绝缘体-金属电容结构的特征在于下电极包括一层导体层以及一金属氮化物多层结构。金属氮化物多层结构是位于导体层与绝缘层之间,且其氮含量逐渐向绝缘层的方向增加并为非结晶(amorphous)型态。由于金属氮化物多层结构的关系,可避免绝缘层形成结晶,以减少漏电流的损失。
申请公布号 TW200725698 申请公布日期 2007.07.01
申请号 TW094146470 申请日期 2005.12.26
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 王庆钧;李隆盛;林哲歆;罗文妙
分类号 H01L21/20(2006.01) 主分类号 H01L21/20(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号