具有电容器的半导体元件及其制作方法

摘要

一种具有电容器的半导体元件，包括基底、金氧半导电晶体与电容器。金氧半导电晶体是位于基底的一金氧半导电晶体区，且其中具有第一底扩散区域。电容器则位于基底的一电容器区，其中电容器包括位于基底中的第二底扩散区域、位于第二底扩散区域上的第一介电层、位于第一介电层上的底导体层、位于底导体层上的第二介电层和位于第二介电层上的顶导体层。其中，第二底扩散区域与该第一底扩散区域具有不同的导电态。此种电容器可依照不同的介电层厚度，得到不同的电容值，并可防止金氧半导电晶体的Vt值受到供应至电容器的电压影响。