极度园孔遮罩的栅槽MOSFET器件及其生产工艺EXCESSIVE ROUND-HOLE SHIELDED GATE TRENCH (SGT) MOSFET DEVICES AND MANUFACTURING PROCESSES

摘要

本发明公开了一种改进的槽金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)器件，该器件包括一个被源区围绕的槽栅，源区被围绕在位于基片底面上的漏区之上的体区中。MOSFET单元进一步包括一个位于槽栅下面且与槽栅绝缘的遮罩栅槽(SGT)结构，SGT结构基本是由一个旁向膨胀超出槽栅以及被充填有槽栅材料的亚麻介质层覆盖的园孔组成。园孔是通过哈同性腐蚀在槽栅底部生成的并通过氧化物绝缘层与槽栅分隔开来。园孔的旁向膨胀超出槽壁，该旁向膨胀可用作垂直调整的界标，控制槽栅的深度。取决于位于作为槽栅之下一个园孔的SGT结构之上的槽栅的可控深度，MOSFET器件的栅漏电容Cgd可以减小。