具有双临界电压控制构件之低临界电压半导体元件

摘要

本发明提供一种半导体结构，特别是pFET，其包含介电常数大于二氧化矽且锗或矽含量大于50％之介电材料，以及至少一其他构件以藉由材料堆叠工程来调整临界/平带电压。本发明预期到之该其他构件包含，例如，在该介电材料上运用一绝缘中间层以固定电荷及/或藉由形成一经设计的通道区域。本发明也有关于一种制造此CMOS结构的方法。