高压元件及其制造方法

摘要

一种高压半导体元件，包括具有主要表面的矽基底、位于矽基底的主要表面上的闸极、邻近主要表面的部分基底中的源极区以及邻近主要表面的部分基底中的汲极区。汲极区与源极区分离。通道区被定义于邻近源极区与汲极区之间的主要表面的部分矽基底中。通道区的至少一部分位于闸极下。外加区域位于邻近通道区的主要表面上。外加区域是由高介电常数材料或导体材料所构成。