发明名称 | 奈米晶粒阻变记忆体 | ||
摘要 | 一种奈米晶粒阻变记忆体,系具有至少一记忆体单元,该记忆体单元则由通道及其通道内所嵌埋之奈米晶粒及电晶体所构成,利用外加于该通道之电压而对奈米晶粒进行电荷存取,再以该储存于奈米晶粒之电荷改变通道之导电性质,系在电晶体开启后读取电流大小以达成记忆体之功效。 | ||
申请公布号 | TW200725814 | 申请公布日期 | 2007.07.01 |
申请号 | TW094146931 | 申请日期 | 2005.12.28 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 郑培仁 |
分类号 | H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 陈昭诚 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |