发明名称 树脂封装型半导体装置
摘要 本发明提供一种树脂封装型半导体装置,其中将与封装树脂一体设置之散热构件由线膨胀系数与封装树脂相近之第一金属,以及积层于第一金属表面而与封装树脂间之密合性良好之第二金属所形成之包覆材构成。藉此,可获得满足散热构件所要求之(1)热传导率良好;(2)与封装树脂间之线膨胀系数差很小;(3)与封装树脂的密合性佳等三条件之金属制散热构件。
申请公布号 TWI283464 申请公布日期 2007.07.01
申请号 TW090127249 申请日期 2001.11.02
申请人 星辰钟表股份有限公司 发明人 反町和昭;菊地正义
分类号 H01L23/28(2006.01) 主分类号 H01L23/28(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 1.一种树脂封装型半导体装置,系具有: 电路基板; 装设于该电路基板上之IC晶片; 将该IC晶片与电路基板予以封装之封装树脂;以及 至少一部分与前述封装树脂之上面侧一体化,以与 前述IC晶片隔开的散热构件; 前述散热构件系由包覆材所构成,该包覆材具有: 线膨胀系数与前述封装树脂相近之由铜或银构成 之第一金属层;以及由异于第一金属层的材质构成 ,且固接于该第一金属层之由铝或银构成之第二金 属层, 前述第二金属层具有与前述封装树脂良好之密合 特性,并使前述散热构件坚牢地固定在前述封装树 脂,而且实质上与前述封装树脂接触,以使该封装 树脂散热。 2.如申请专利范围第1项之树脂封装型半导体装置, 其中,前述散热构件之第一金属层系铜,第二金属 层系铝。 3.如申请专利范围第1项之树脂封装型半导体装置, 其中,前述散热构件系形成为在第一金属层的两面 积层有第二金属层的三层构造。 4.如申请专利范围第1项之树脂封装型半导体装置, 其中,前述散热构件系形成为在第一金属层的一面 积层有第二金属层的双层构造。 5.如申请专利范围第1项之树脂封装型半导体装置, 其中,前述散热构件上面,具备与前述封装树脂同 色之色彩层。 6.如申请专利范围第1项之树脂封装型半导体装置, 其中,在前述散热构件形成突出于前述IC晶片侧之 凸部。 7.如申请专利范围第1项之树脂封装型半导体装置, 其中,在前述散热构件形成突出于前述IC晶片侧之 漏斗状孔部。 8.如申请专利范围第1项之树脂封装型半导体装置, 其中,在前述散热构件形成与前述电路基板之接地 电极相接触的脚部。 9.如申请专利范围第1项之树脂封装型半导体装置, 其中,在前述散热构件形成前端部屈曲而埋入前述 封装树脂的脚部。 图式简单说明: 第1图(a)为本发明第一实施形态之树脂封装型球栅 阵列的俯视图,第1图(b)则为其剖视图。 第2图为本发明第一实施形态之金属制散热构件的 剖视图,该(a)图为三层金属层的情况,该(b)图为双 层金属层的情况。 第3图(a)为本发明第二实施形态之树脂封装型球栅 阵列的俯视图,第3图(b)则为其剖视图。 第4图(a)为本发明第三实施形态之树脂封装型球栅 阵列的剖视图,第4图(b)则为其散热构件的概略斜 视图。 第5图(a)为本发明第四实施形态之树脂封装型球栅 阵列的剖视图,第5图(b)则为其散热构件的概略斜 视图。 第6图(a)为本发明第五实施形态之树脂封装型球栅 阵列的剖视图,第6图(b)则为其散热构件的概略斜 视图。 第7图为以往之树脂封装型球栅阵列的剖视图。
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