发明名称 以光纤为主的场发射器显示器
摘要 一种场发射装置之制造方法,及含有纤维段形成之发射体所制成的装置。尖梢会藉曝露一反应液体一段时间来形成于该等纤维段上而具有甚小的半径。该等尖梢会被覆设一低功函数导电材料来形成发射体。
申请公布号 TWI283424 申请公布日期 2007.07.01
申请号 TW093139456 申请日期 2004.12.17
申请人 汤寅生 发明人 汤寅生
分类号 H01J37/073(2006.01) 主分类号 H01J37/073(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种含有发射体之装置的制造方法,包含: 将多数束结在一起的纤维段之一端曝露于一反应 液体,以使该反应液体与该等纤维段的端部反应而 形成一集束尖梢的阵列; 沈积一导电材料于该尖梢阵列上; 沈积一介电层于该覆层的尖梢阵列上; 在该介电层上形成一闸极电极;及 除去部份的介电层而由该覆层尖梢阵列上曝现该 等覆层尖梢的至少一部份。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该反应液体包 含一氢氟酸的浸渍液。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该反应液体包 含一氢氟酸的喷雾洒液。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该等集束纤维 段包含一纤维段片。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该导电材料包 含一选自下列组群的低功函数导体:Mo、Ni、Cr、Cu 、Au、Pt、Ir、Pd、Ti、Al、W、-C及其组合物。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该等尖梢皆具 有小于1m的尖梢半径。 7.如申请专利范围第1项之方法,更包含: 提供一透明基板并有一透明导电材料沈积其上; 在该透明基板上制成一介电间隔物; 蚀刻该介电间隔物的选择区域来形成供容纳彩色 萤光质的腔室等;及 对准该等选择区域和曝现的覆层尖梢而形成一尖 梢胞穴阵列结构。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中该透明导电材 料包含一图案化的透明导电材料。 9.如申请专利范围第7项之方法,更包含: 在将该尖梢胞穴结构泵成真空之后,密封该尖梢胞 穴阵列结构。 10.一种场发射装置,包含: 一阴极板系如下来制成: 将多数束结在一起的纤维段之一端曝露于一反应 液体,以使该反应液体与该等纤维段的端部反应而 形成一集束尖梢的阵列; 沈积一导电材料于该尖梢阵列上; 沈积一介电层于该覆层的尖梢阵列上; 在该介电层上形成一闸极电极;及 除去部份的介电层而由该覆层尖梢阵列上曝现该 等覆层尖梢的至少一部份;及 一阳极板系如下来制成: 提供一透明基板并有一透明导电材料沈积其上; 在该透明基板上制成一介电间隔物; 蚀刻该介电间隔物的选择区域来形成供容纳彩色 萤光质的腔室等; 该阳极板和阴极板会被并设在一起,而使被蚀刻的 选择区域对准曝现的覆层尖梢来形成一尖梢胞穴 阵列结构。 11.如申请专利范围第10项之场发射装置,其中该尖 梢胞穴阵列结构包含一密封物可容该结构被泵成 真空。 12.如申请专利范围第10项之场发射装置,其中该反 应液体包含一氢氟酸的浸渍液。 13.如申请专利范围第10项之场发射装置,其中该反 应液体包含一氢氟酸的喷雾洒液。 14.如申请专利范围第10项之场发射装置,其中该等 集束纤维段包含一纤维段片。 15.如申请专利范围第10项之场发射装置,其中该导 电材料包含一选自下列组群的低功函数导体:Mo、 Ni、Cr、Cu、Au、Pt、Ir、Pd、Ti、Al、W、-C及其组 合物。 16.如申请专利范围第10项之场发射装置,其中该等 尖梢皆具有小于1m的尖梢半径。 17.如申请专利范围第10项之场发射装置,其中该透 明导电材料包含一图案化的透明导电材料。 18.一种含有发射体之装置的制造方法,包含: 提供一纤维段片,各纤维段具有一第一端; 将该等纤维段的第一端曝露于一反应液体,以使该 反应液体与该等第一端反应而在各第一端形成一 尖梢; 沈积一导电材料于该等尖梢上; 沈积一介电层于该等覆层尖梢上; 在该介电质上形成一闸极电极;及 除去部份的介电层来曝现该等覆层尖梢的至少一 部份; 提供一阳极板含有腔室等可容装彩色萤光质;及 将该等腔室对准曝现的覆层尖梢来形成各发射体 胞穴。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中该反应液体 包含一氢氟酸的浸渍液。 20.如申请专利范围第18项之方法,其中该反应液体 包含一氢氟酸的喷雾洒液。 21.如申请专利范围第18项之方法,其中该导电材料 包含一选自下列组群的低功函数导体:Mo、Ni、Cr、 Cu、Au、Pt、Ir、Pd、Ti、Al、W、-C及其组合物。 22.如申请专利范围第18项之方法,其中该等尖梢皆 具有小于1m的尖梢半径。 图式简单说明: 第1图为一习知的场发射装置之简化示图; 第2图为本发明一实施例之发射体阵列的制造流程 图; 第3图为本发明一实施例之简体段片的简化示图; 第4A图为本发明一实施例之蚀刻槽的简化示图; 第4B图为本发明一实施例之发射体阵列的简化示 图; 第5图为本发明一实施例之个别纤维短段在接受蚀 刻处理之前及之后的简化示图; 第6A与6B图分别本发明一实施例之覆层发射体及一 覆层发射体阵列的简化示图; 第7A~7D图为本发明一实施例之阴极板制法的简化 示图; 第8图为本发明一实施例之阳极板以微影图案化来 制成而具有腔穴可容纳RGB彩色萤光质的简化示图; 第9图为本发明一实施例之场发射装置的简化示图 ;及 第10图为本发明一实施例之使用第9图所示FED的系 统之示意图。
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