| 主权项 |
1.一种无隔离装置之磁阻随机存取记忆体架构,包 括: 复数个资料栏,每一个包括一相关栏位元线,以及 一复数个彼此间隔的数位线; 该复数个资料栏每一个包括一第一组复数个非挥 发性磁阻元件,每一个皆可程式化为一Rmax和一Rmin 状态之一,连接该等磁阻元件,使资讯储存其内,在 每一个资料栏内的第一组复数个非挥发性磁阻元 件,每一个一端连接至该相关栏位元线,而每一个 的另一端则连接至该复数个数位线中的一数位线; 一参考栏,包括一第二组复数个非挥发性磁阻元件 ,位于邻近该资料栏处,该参考栏有一相关的参考 位元线耦合至该第二组复数个非挥发磁阻元件; 复数个资料电流传送器电路,每一个皆耦合至一相 关栏位元线,每一个资料电流传送器电路皆具有一 输出终端; 一参考电流传送器电路,耦合至该参考位元线,并 具有一输出终端; 一差动放大器,具有第一和第二输入;及 选择电路,将该复数个资料电流传送器电路中,该 被选定的一电路的输出终端耦合至该差动放大器 的第一输入,并且将该参考电流传送器电路的输出 终端耦合至该差动放大器的第二输入,以差异性地 将从该复数个资料电流传送器电路中,该被选定的 一电路所产生的一资料电压与该参考电流传送器 电路所产生的一参考电压比较,并提供一资料输出 信号。 2.如申请专利范围第1项之无隔离装置之磁阻随机 存取记忆体架构,其中该资料栏的每一个非挥发性 磁阻元件均包括一磁性通道界面。 3.如申请专利范围第1项之无隔离装置之磁阻随机 存取记忆体架构,其中该参考栏包括一中点产生器 ,位于邻近该资料栏处,该中点产生器包括复数个 非挥发性磁阻元件,每一个皆具有一Rmax状态和一 Rmin状态,并且每一个均被设定至Rmax和Rmin中之一, 并且该复数个非挥发性磁阻元件被连接在一起,以 提供中间阻抗(位于Rmax和Rmin间)的总阻抗。 4.如申请专利范围第1项之无隔离装置之磁阻随机 存取记忆体架构,尚包括一第二组复数个彼此间隔 的数位线,在该第二组复数个非挥发性磁阻元件中 的每一个元件一端皆连接至该相关的参考位元线, 而每一个的另一端则连接至该第二组复数个数位 线中的一数位线。 5.如申请专利范围第1项之无隔离装置之磁阻随机 存取记忆体架构,尚包括复数个参考栏,每一个皆 包括一相关的参考位元线,并且第二组复数个非挥 发性磁阻元件连接至其上,该复数个参考栏的每一 个参考栏皆形成一与该复数个资料栏的一相关资 料栏相反的成对,并且该选择电路将被选定的相反 的成对耦合至该差动放大器。 6.如申请专利范围第1项之无隔离装置之磁阻随机 存取记忆体架构,其中该复数个资料栏和该参考栏 皆被钳制至一共同电压。 7.一种无隔离装置之磁阻随机存取记忆体架构,包 括: 一栏位元线,定义一资料栏和复数条彼此间隔的数 位线; 该资料栏包括复数个非挥发性磁阻元件,每一个皆 可程式化为一Rmax和一Rmin状态之一,连接该等磁阻 元件,使资讯储存其内,在该资料栏内的非挥发磁 阻元件每一个一端连接至该栏位元线,而每一个的 另一端则连接至复数个数位线中的一数位线; 一参考栏,包括一中点产生器,位于邻近该资料栏 处,该中点产生器包括复数个非挥发性磁阻元件, 每一个皆具有一Rmax状态和一Rmin状态,并且每一个 均被设定至Rmax和Rmin中之一,并且该复数个非挥发 性磁阻元件被连接在一起,以提供一中点阻抗(位 于Rmax和Rmin间)的总阻抗;及 一资料电流传送器电路,耦合至该相关栏位元线, 并具有一输出终端; 一参考电流传送器电路,耦合至该参考位元线,并 具有一输出终端; 一差动放大器,具有第一和第二输入;及 选择电路,将该资料电流传送器电路的输出终端耦 合至该差动放大器的第一输入,并将该参考电流传 送器电路的输出终端耦合至该差动放大器的第二 输入,以差异性地将从该资料电流传送器电路所产 生的一资料电压与从该参考电流传送器电路所产 生的一参考电压比较,并提供一资料输出信号。 8.一种无隔离装置之磁阻随机存取记忆体架构,包 括: 复数个资料栏,每一个皆包括一相关的栏位元线, 和一彼此间隔的第一组复数个数位线; 该复数个资料栏每一个包括一第一组复数个非挥 发性磁阻元件,每一个皆可程式化为一Rmax和一Rmin 状态之一,连接该等磁阻元件,使资讯储存其内,在 每一个资料栏内的第一组复数个非挥发性磁阻元 件,每一个一端连接至该相关栏位元线,而每一个 的另一端则连接至该第一组复数个数位线中的一 数位线; 一参考栏,包括一第二组复数个非挥发性磁阻元件 ,位于邻近该复数个资料栏处,该参考栏有一相关 的参考位元线和一第二组复数个彼此间隔的数位 线,在该参考栏内的第二组复数个非挥发性磁阻元 件,每一个一端连接至该相关的参考位元线,而每 一个的另一端则连接至该第二组复数个数位线中 的一数位线,该第二组复数个彼此间隔的数位线系 以电隔离的方式与该第一组复数个彼此间隔的数 位线分离; 复数个资料电流传送器电路,每一个皆耦合至一相 关栏位元线,每一个资料电流传送器电路皆具有一 输出终端; 一参考电流传送器电路,耦合至该相关参考位元线 ,并具有一输出终端; 一差动放大器,具有第一和第二输入;及 选择电路,将该复数个资料电流传送器电路中,该 被选定的一电路的输出终端耦合至该差动放大器 的第一输入,并且将该参考电流传送器电路的输出 终端耦合至该差动放大器的第二输入,以差异性地 将从该复数个资料电流传送器电路中,该被选定的 一电路所产生的一资料电压与该参考电流传送器 电路所产生的一参考电压比较,并提供一资料输出 信号。 9.一种无隔离装置之磁阻随机存取记忆体架构,包 括: 复数条彼此间隔的数位线; 复数个资料栏,每一个包括一相关的资料位元线, 该复数个资料栏每一个包括一第一组复数个非挥 发性磁阻元件,每一个皆可程式化为一Rmax和一Rmin 状态之一,连接该等磁阻元件,使资讯储存其内,在 每一个资料栏内的第一组复数个非挥发性磁阻元 件,每一个一端连接至该相关的资料位元线,而每 一个的另一端则连接至该复数个数位线中的一数 位线; 复数个参考栏,每一个包括一相关参考位元线,并 且一第二组复数个非挥发性磁阻元件连接于其上, 该复数个参考栏的每一参考栏与该复数个资料栏 一相关资料栏形成一相反的成对,该相关参考位元 线系以电隔离的方式与该相关资料位元线分离; 复数个资料电流传送器电路,每一个皆耦合至一相 关的资料位元线,每一个资料电流传送器电路皆具 有一输出终端; 复数个参考电流传送器电路,每一个皆耦合至该相 关参考位元线中之一,每一个参考电流传送器电路 皆具有一输出终端; 一差动放大器,具有第一和第二输入;及 选择电路,用于选译一相反的成对,包括一被选定 的资料电流传送器电路和一被选定的参考电流传 送器电路,该选择电路将该被选定的资料电流传送 器电路的输出终端耦合至该差动放大器的第一输 入,并且该被选定的参考电流传送器电路的输出终 端耦合至该差动放大器的第二输入,以差异性地将 从该被选定资料电流传送器电路所产生的一资料 电压与该被选定参考电流传送器电路所产生的一 参考电压比较,并提供一资料输出信号。 图式简单说明: 图1为一简化的概要图,图示根据本发明之无隔离 磁阻记忆体阵列,该阵列具有一散布的参考栏; 图2为图1该阵列之一资料解析部份的具体实施例 简化方块图; 图3和4为简化的概要图,图示图1该阵列所使用的一 中点产生器之运作; 图5为图4该中点产生器一具体实施例的等积图; 图6为从图5的线6-6所看到的横断面图; 图7为图4该中点产生器的另一具体实施例的等积 图; 图8为一简化的概要图,图示一与例如图1该记忆体 架构一起使用的输出电路之不同具体实施例; 图9为纳入图1该无隔离磁阻记忆体阵列之完整记 忆体架构的简化概要图; 图10为图示图9控制电路之额外细节概要图; 图11为纳入根据本发明之无隔离磁阻记忆体阵列 的另一完整记忆体架构的简化概要图;及 图12为纳入根据本发明之无隔离磁阻记忆体阵列 的另一完整记忆体架构的简化概要图。 |
