| 主权项 |
1.一种可降低翻转磁场之磁性随机存取记忆体,包 括有: 一第一反铁磁层; 一固定层,形成于该第一反铁磁层之上; 一穿隧能障绝缘层,形成于该固定层之上; 一铁磁自由层,形成于该穿隧能障绝缘层之上;以 及 一多层结构金属层,形成于该铁磁自由层之上。 2.如申请专利范围第1项所述之可降低翻转磁场之 磁性随机存取记忆体,其中该多层结构金属层中至 少包括有一铁磁层和一反铁磁层,该铁磁层之磁化 易轴方向与该铁磁自由层之磁化易轴方向配置成 正交关系。 3.如申请专利范围第1项所述之可降低翻转磁场之 磁性随机存取记忆体,其中该多层结构金属层系由 一层以上之金属层堆叠制成。 4.如申请专利范围第2项所述之可降低翻转磁场之 磁性随机存取记忆体,其中该多层结构金属层包括 有: 一非磁性金属层; 一铁磁层,形成于该非铁磁金属之上;以及 一第二反铁磁层,形成于该铁磁层之上。 5.如申请专利范围第4项所述之可降低翻转磁场之 磁性随机存取记忆体,其中该铁磁层与该第二反铁 磁层之磁化易轴方向与该铁磁自由层之磁化易轴 方向配置成正交关系。 6.如申请专利范围第4项所述之可降低翻转磁场之 磁性随机存取记忆体,其中该非磁性金属层系选用 非磁性传导材料。 7.如申请专利范围第4项所述之可降低翻转磁场之 磁性随机存取记忆体,其中该铁磁层系选用铁磁性 材料。 8.如申请专利范围第4项所述之可降低翻转磁场之 磁性随机存取记忆体,其中该第二反铁磁层系选用 反铁磁性材料。 图式简单说明: 第1图系为本发明所揭露之磁性随机存取记忆体; 第2图系为本发明所揭露之磁性随机存取记忆体之 磁化易轴方向示意图; 第3图系为本发明所揭露之磁性随机存取记忆体之 磁滞曲线变化示意图; 第4图系为本发明所揭露之磁性随机存取记忆体之 磁滞曲线变化之实验结果; 第5图系为本发明所揭露之磁性随机存取记忆体之 铁磁自由层上没有覆盖多层结构金属层之模拟磁 滞曲线结果;以及 第6图系为本发明所揭露之磁性随机存取记忆体于 铁磁自由层上有覆盖多层结构金属层后之模拟磁 滞曲线之结果。 |
