| 主权项 |
1.一种加工基材的方法,包括: 研磨一基材表面以暴露出位在一介电材料中之一 第一导电材料; 沈积一起始层于一基材表面上,其系藉由暴露该基 材表面于一具有酸硷値等于或小于7之第一无电极 溶液中形成,其中该起始层为连续或非连续; 移除该基材表面之氧化层; 清洗掉该基材表面之该第一无电极溶液;以及 沈积一第二导电材料于该起始层上,其系藉由暴露 该起始层于一第二无电极溶液中形成。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一无 电极溶液为一贵金属盐与一无机酸,其中该贵金属 盐选自于钯金属盐、铂金属盐、与以上之组合,并 选自于氯酸盐、硫酸盐、氧基磺酸盐、与以上之 组合;且该无机酸选自于氯酸、硫酸、氢氟酸、与 以上之组合。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该贵金属 盐于该无电极溶液之浓度为20ppm或为20克/升。 4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第一无 电极溶液之酸硷値介于1至3间。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一导 电材料为铜,该起始层为一贵金属选自于钯、铂、 与以上之组合,且该第二导电材料为钴或钴合金; 其中该贵金属选择性地沈积在该暴露之铜特征孔 中,系藉由暴露该基材表面于一具有贵金属盐、无 机酸、与酸硷値介于1至3之酸性无电极溶液形成 。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基材表 面包含一介电材料,且该介电材料上具有复数个孔 洞。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其更包含: 沈积一种晶层于该第二导电材料上;以及 沈积一第三导电材料层于该种晶层上。 8.如申请专利范围第6项所述之方法,其更包含沈积 一第三导电材料层于该第二导电材料上。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基材表 面上为一导电矽基材料,其上并形成复数个图样孔 洞。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其更包含形 成一矽化金属层,该矽化金属层系利用一或多次回 火制程使该导电矽基材料与该第二导电材料反应 获得。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其更包含沈 积一第三导电材料于该矽化金属层上。 12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该一或 多次回火制程为回火该基材于一介于300℃至900℃ 之温度以形成该矽化金属层。 13.如申请专利范围第10项所述之方法,其更包含在 任何一或多次回火后,蚀刻该未反应之第二导电材 料。 14.如申请专利范围第10项所述之方法,其中在沈积 该第三导电材料前,先沈积一阻障材料层于该第二 导电材料上。 15.如申请专利范围第10项所述之方法,其更包含以 一浸泡氢氟酸技术或一电浆蚀刻技术处理该基材 表面,以去除氧化结构。 16.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包含: 研磨一基材表面以暴露出位在一介电材料中之一 第一导电材料; 利用一酸性溶液蚀刻该基材表面;以及 在沈积该起始层前,清洗掉位在该基材表面之该酸 性溶液。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该酸性 溶液为介于0.2至5重量百分比之氢氟酸。 18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该基材 表面之蚀刻为暴露该基材表面于一重量百分比介 于0.2至5之氢氟酸中、时间为等于或小于300秒、且 温度在15℃至60℃间。 图式简单说明: 图1系本发明沈积导电层之一实施例流程图。 图2A-2C系本发明一沈积制程较佳实施例之剖视图 。 图3A-3C系本发明一沈积制程较佳实施例之剖视图 。 图4系本发明一作为与接触电晶体之矽化材料较佳 实施例之简化剖视图。 |
