藉由全半导体金属合金转换之金属闸极金氧半场效电晶体

摘要

描述一种金氧半场效电晶体结构及其形成方法。该方法包括形成一含金属层，其厚度足以将第一类型金氧半场效电晶体区域中之半导体闸堆叠完全转换为一半导体金属合金，但仅足以将第二类型金氧半场效电晶体区域中之半导体闸堆叠部份转换为半导体金属合金。在一实施例中，第一金氧半场效电晶体区域中的闸堆叠系在形成含金属层之前被凹陷，使得第一金氧半场效电晶体半导体堆叠的高度小于第二金氧半场效电晶体半导体堆叠的高度。在另一实施例中，在转换制程之前，相对于另一金氧半场效电晶体区域，薄化在一金氧半场效电晶体上之含金属层。